1R5 SMD Leistungsinduktor mit flachem Kupferdraht, magnetischer Abschirmung und integrierter Induktivität

1. Produktbeschreibung

Der 1R5 SMD Leistungsinduktor (1,5 μH) ist ein quadratischer oberflächenmontierbarer Induktor mit einer Flachkupferdrahtwicklung und einer integrierten magnetischen Abschirmstruktur. Er hat einen geringen Gleichstromwiderstand (DCR) und eine hohe Strombelastbarkeit und eignet sich für Hochfrequenz-Schaltschaltungen. Sein geschlossenes Magnetkreisdesign unterdrückt effektiv elektromagnetische Störungen (EMI), verbessert die Systemstabilität und ist beständig gegen hohe Temperaturen (-40 °C bis +125 °C). Er eignet sich für digitale Verstärker, DC-DC-Wandler und Hochleistungs-Leistungsmodule, wobei er hohe Effizienz und kompakte Bauweise (z. B. 5x5 mm oder 7x7 mm) vereint und für industrielle, Automobil- und Verbraucheranwendungen geeignet ist.

1. Effizientes Flachkupferdrahtdesign: Verwendung einer Flachkupferdrahtwicklung zur Reduzierung des Skineffekts und des Gleichstromwiderstands (DCR), zur Verbesserung der Strombelastbarkeit und zur Reduzierung von Energieverlusten.

2. Magnetische Abschirmstruktur: Integriertes geschlossenes Magnetkreisdesign unterdrückt effektiv elektromagnetische Störungen (EMI), vermeidet die Beeinflussung umliegender Schaltungen und verbessert die Systemstabilität.

3. Hochtemperaturbeständigkeit: Mit einem weiten Betriebstemperaturbereich (-40 °C~+125 °C, einige Modelle können +150 °C erreichen) eignet er sich für Hochleistungs- und Hochtemperaturumgebungen.

4. Kompaktes SMT-Gehäuse: Standard-SMD-Quadratdesign (z. B. 5x5 mm oder 7x7 mm) spart Leiterplattenfläche und eignet sich für hochdichte Schaltungslayouts.

5. Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit: Geeignet für Hochfrequenz-Schaltschaltungen wie digitale Verstärker und DC-DC-Wandler, unterstützt industrielle, Automobil- und Verbrauchergeräte und entspricht den RoHS/AEC-Q200-Standards.

2. Funktion

Zusammenfassung der beiden Kernfunktionen des 1R5 SMD Leistungsinduktors:

1. Effiziente Energiespeicherung und -umwandlung
Als Kernkomponente zur Energiespeicherung von Schaltnetzteilen (z. B. DC-DC-Buck/Boost-Schaltungen) wird eine effiziente Energieumwandlung durch einen Induktivitätswert von 1,5 μH erreicht, wodurch der Leistungsverlust reduziert und der Systemwirkungsgrad verbessert wird.
Das Flachkupferdrahtdesign reduziert Hochfrequenzverluste, unterstützt schnelles Laden und Entladen und eignet sich für Hochfrequenz- (über 500 kHz) Digitalverstärker (Klasse D) und andere Szenarien.

2. Unterdrückung elektromagnetischer Störungen (EMI)
Die integrierte magnetische Abschirmstruktur unterdrückt effektiv Hochfrequenzrauschen und Magnetfeldleckagen, reduziert Störungen durch umliegende empfindliche Schaltungen (z. B. HF- oder Signalverarbeitungsmodule) und gewährleistet einen stabilen Systembetrieb.
Das geschlossene Magnetkreisdesign erfüllt die EMV-Anforderungen und eignet sich für raue Umgebungen wie Automobilelektronik und industrielle Netzteile.

Kurz gesagt, er hat Doppelfunktionen der effizienten Leistungsverarbeitung und der Optimierung der elektromagnetischen Verträglichkeit.

3. Leistungsmerkmale

4. Andere empfohlene Produkte

5. Firmenprofil