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Induktor
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Leistungs-SMD-Chip-Induktor Common Mode Choke-Induktor mit hoher Frequenzleistung, hoher Strombehandlung und effektiver EMI-Unterdrückung für Kommunikationsgeräte
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Ms. Chen
rhea@zxycoil.com
+8613554723725
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Leistungs-SMD-Chip-Induktor Common Mode Choke-Induktor mit hoher Frequenzleistung, hoher Strombehandlung und effektiver EMI-Unterdrückung für Kommunikationsgeräte

Markenbezeichnung: ZXY
Modellnummer: ZXY-122
MOQ: Verhandelbar
Preis: Verhandlungsfähig
Verpackungsdetails: Karton
Ausführliche Information
Beschreibung des Produkts
Ausführliche Information
Herkunftsort:
Shenzhen Guangdong
Zertifizierung:
RoHS、ISO9001、CE
Hervorheben:

Hochfrequenzleistungs-SMD-Chip-Induktor

,

Gleichtaktdrosselinduktivität für hohe Ströme

,

Effektiver Induktor für Kommunikationsgeräte zur EMI-Unterdrückung

Beschreibung des Produkts
Power SMD Chip Gleichtakt-Drossel
Wesentliche EMI-Unterdrückungskomponenten, die für moderne Kommunikationsgeräte entwickelt wurden. Diese kompakten oberflächenmontierten Bauelemente dämpfen effektiv Gleichtaktstörungen und ermöglichen gleichzeitig die ungehinderte Durchleitung von Differenzsignalen, wodurch die Signalintegrität und die EMV-Konformität in Hochfrequenzanwendungen gewährleistet werden.
Hauptmerkmale
  • Hochleistungs-Rauschunterdrückung: Unterdrückt effizient elektromagnetische Interferenzen (EMI) und Funkfrequenzstörungen (RFI) unter Beibehaltung der Signalintegrität für Differenzsignale
  • Hohe Frequenz & Leistungsdichte: Moderne Magnetkernmaterialien erhalten hohe Impedanzeigenschaften bis zu GHz-Frequenzen mit hoher Nennstrombelastbarkeit
  • Hohe Zuverlässigkeit & Stabilität: Ausgezeichnete Temperaturstabilität mit geringem Gleichstromwiderstand (DCR) gewährleistet eine konstante Leistung über weite Betriebsbereiche
  • Miniaturisiertes integriertes Design: Standard-SMD-Oberflächenmontagegehäuse (0402, 0603, 0805) unterstützt hochdichte Leiterplattenlayouts für die Miniaturisierung von Geräten
  • Anwendungsoptimierte Leistung: Speziell entwickelt für Kommunikationsgeräte, einschließlich 5G-Basisstationen, optische Module, Routing-Switches und Hochgeschwindigkeits-Datenports
Leistungsmerkmale
Merkmal Beschreibung & Vorteil
Hochfrequenzleistung Ausgezeichnete Impedanzeigenschaften im MHz- bis GHz-Bereich, entscheidend für die Unterdrückung von Rauschen in Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen und Schaltnetzteilen
Hohe Strombelastbarkeit Geringer Gleichstromwiderstand und optimierte Kernmaterialien bewältigen erhebliche Gleichtaktströme ohne Sättigung
Effektive EMI-Unterdrückung Hohe Gleichtaktimpedanz dämpft elektromagnetische Interferenzen und hilft bei der Einhaltung von EMV/EMI-Normen
Kompakter SMD-Formfaktor Miniaturisierte Standard-Chipgrößen (0402, 0603, 0805, 1206) ermöglichen hochdichte Leiterplattenlayouts
Erhaltung der Signalintegrität Geringe Differenzial-Modus-Einfügedämpfung ermöglicht die Durchleitung der gewünschten Signale mit minimaler Verzerrung
Hohe Zuverlässigkeit & Stabilität Ausgezeichnete Temperaturstabilität und robuste Konstruktion für konstante Leistung unter mechanischer Belastung
Breiter Betriebstemperaturbereich Ausgelegt für -40 °C bis +125 °C, was einen zuverlässigen Betrieb unter verschiedenen Umgebungsbedingungen gewährleistet
Geringe Streuinduktivität Optimiertes Wicklungsdesign minimiert parasitäre Streuinduktivität für Hochgeschwindigkeits- und Hochfrequenzschaltungen
Produktbilder
Leistungs-SMD-Chip-Induktor Common Mode Choke-Induktor mit hoher Frequenzleistung, hoher Strombehandlung und effektiver EMI-Unterdrückung für Kommunikationsgeräte 0
Leistungs-SMD-Chip-Induktor Common Mode Choke-Induktor mit hoher Frequenzleistung, hoher Strombehandlung und effektiver EMI-Unterdrückung für Kommunikationsgeräte 1
Leistungs-SMD-Chip-Induktor Common Mode Choke-Induktor mit hoher Frequenzleistung, hoher Strombehandlung und effektiver EMI-Unterdrückung für Kommunikationsgeräte 2
Leistungs-SMD-Chip-Induktor Common Mode Choke-Induktor mit hoher Frequenzleistung, hoher Strombehandlung und effektiver EMI-Unterdrückung für Kommunikationsgeräte 3
Leistungs-SMD-Chip-Induktor Common Mode Choke-Induktor mit hoher Frequenzleistung, hoher Strombehandlung und effektiver EMI-Unterdrückung für Kommunikationsgeräte 4
Andere empfohlene Produkte
Leistungs-SMD-Chip-Induktor Common Mode Choke-Induktor mit hoher Frequenzleistung, hoher Strombehandlung und effektiver EMI-Unterdrückung für Kommunikationsgeräte 5
Firmenprofil
Leistungs-SMD-Chip-Induktor Common Mode Choke-Induktor mit hoher Frequenzleistung, hoher Strombehandlung und effektiver EMI-Unterdrückung für Kommunikationsgeräte 6 Leistungs-SMD-Chip-Induktor Common Mode Choke-Induktor mit hoher Frequenzleistung, hoher Strombehandlung und effektiver EMI-Unterdrückung für Kommunikationsgeräte 7 Leistungs-SMD-Chip-Induktor Common Mode Choke-Induktor mit hoher Frequenzleistung, hoher Strombehandlung und effektiver EMI-Unterdrückung für Kommunikationsgeräte 8
Stichworte: 

Toroidal Energie-Magnetkern-Induktor  

Audiomagnetkern-Induktor  

Energie-Drosselklappen-Magnetkern-Induktor

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Markenbezeichnung: ZXY
Modellnummer: ZXY-122
MOQ: Verhandelbar
Preis: Verhandlungsfähig
Verpackungsdetails: Karton
Ausführliche Information
Beschreibung des Produkts
Ausführliche Information
Herkunftsort:
Shenzhen Guangdong
Markenname:
ZXY
Zertifizierung:
RoHS、ISO9001、CE
Modellnummer:
ZXY-122
Min Bestellmenge:
Verhandelbar
Preis:
Verhandlungsfähig
Verpackung Informationen:
Karton
Lieferzeit:
3-4 WOCHEN
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,

Gleichtaktdrosselinduktivität für hohe Ströme

,

Effektiver Induktor für Kommunikationsgeräte zur EMI-Unterdrückung

Beschreibung des Produkts
Power SMD Chip Gleichtakt-Drossel
Wesentliche EMI-Unterdrückungskomponenten, die für moderne Kommunikationsgeräte entwickelt wurden. Diese kompakten oberflächenmontierten Bauelemente dämpfen effektiv Gleichtaktstörungen und ermöglichen gleichzeitig die ungehinderte Durchleitung von Differenzsignalen, wodurch die Signalintegrität und die EMV-Konformität in Hochfrequenzanwendungen gewährleistet werden.
Hauptmerkmale
  • Hochleistungs-Rauschunterdrückung: Unterdrückt effizient elektromagnetische Interferenzen (EMI) und Funkfrequenzstörungen (RFI) unter Beibehaltung der Signalintegrität für Differenzsignale
  • Hohe Frequenz & Leistungsdichte: Moderne Magnetkernmaterialien erhalten hohe Impedanzeigenschaften bis zu GHz-Frequenzen mit hoher Nennstrombelastbarkeit
  • Hohe Zuverlässigkeit & Stabilität: Ausgezeichnete Temperaturstabilität mit geringem Gleichstromwiderstand (DCR) gewährleistet eine konstante Leistung über weite Betriebsbereiche
  • Miniaturisiertes integriertes Design: Standard-SMD-Oberflächenmontagegehäuse (0402, 0603, 0805) unterstützt hochdichte Leiterplattenlayouts für die Miniaturisierung von Geräten
  • Anwendungsoptimierte Leistung: Speziell entwickelt für Kommunikationsgeräte, einschließlich 5G-Basisstationen, optische Module, Routing-Switches und Hochgeschwindigkeits-Datenports
Leistungsmerkmale
Merkmal Beschreibung & Vorteil
Hochfrequenzleistung Ausgezeichnete Impedanzeigenschaften im MHz- bis GHz-Bereich, entscheidend für die Unterdrückung von Rauschen in Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen und Schaltnetzteilen
Hohe Strombelastbarkeit Geringer Gleichstromwiderstand und optimierte Kernmaterialien bewältigen erhebliche Gleichtaktströme ohne Sättigung
Effektive EMI-Unterdrückung Hohe Gleichtaktimpedanz dämpft elektromagnetische Interferenzen und hilft bei der Einhaltung von EMV/EMI-Normen
Kompakter SMD-Formfaktor Miniaturisierte Standard-Chipgrößen (0402, 0603, 0805, 1206) ermöglichen hochdichte Leiterplattenlayouts
Erhaltung der Signalintegrität Geringe Differenzial-Modus-Einfügedämpfung ermöglicht die Durchleitung der gewünschten Signale mit minimaler Verzerrung
Hohe Zuverlässigkeit & Stabilität Ausgezeichnete Temperaturstabilität und robuste Konstruktion für konstante Leistung unter mechanischer Belastung
Breiter Betriebstemperaturbereich Ausgelegt für -40 °C bis +125 °C, was einen zuverlässigen Betrieb unter verschiedenen Umgebungsbedingungen gewährleistet
Geringe Streuinduktivität Optimiertes Wicklungsdesign minimiert parasitäre Streuinduktivität für Hochgeschwindigkeits- und Hochfrequenzschaltungen
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Leistungs-SMD-Chip-Induktor Common Mode Choke-Induktor mit hoher Frequenzleistung, hoher Strombehandlung und effektiver EMI-Unterdrückung für Kommunikationsgeräte 3
Leistungs-SMD-Chip-Induktor Common Mode Choke-Induktor mit hoher Frequenzleistung, hoher Strombehandlung und effektiver EMI-Unterdrückung für Kommunikationsgeräte 4
Andere empfohlene Produkte
Leistungs-SMD-Chip-Induktor Common Mode Choke-Induktor mit hoher Frequenzleistung, hoher Strombehandlung und effektiver EMI-Unterdrückung für Kommunikationsgeräte 5
Firmenprofil
Leistungs-SMD-Chip-Induktor Common Mode Choke-Induktor mit hoher Frequenzleistung, hoher Strombehandlung und effektiver EMI-Unterdrückung für Kommunikationsgeräte 6 Leistungs-SMD-Chip-Induktor Common Mode Choke-Induktor mit hoher Frequenzleistung, hoher Strombehandlung und effektiver EMI-Unterdrückung für Kommunikationsgeräte 7 Leistungs-SMD-Chip-Induktor Common Mode Choke-Induktor mit hoher Frequenzleistung, hoher Strombehandlung und effektiver EMI-Unterdrückung für Kommunikationsgeräte 8
Stichworte: 

Toroidal Energie-Magnetkern-Induktor

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